史永贵
陕西省
研究领域:
研究方向:
第三代半导体碳化硅单晶和衬底的制备;石墨烯的制备、性能及应用研究;MS、Ansys仿真模拟;3D-芯片封装可靠性评价;MEMS器件失效分析。
所在单位:
西安理工大学