发明专利：
李颖，赵高扬，石芬。一种氧化镍基记忆存储薄膜微细图形的制备方法。申请日期：2012年7月26日，申请号：201210259315.9。
李颖，赵高扬，金龙。氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法。申请日期：2013年01月21日，申请号：201310022402.7。
李颖，赵高扬，王亚静。有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其阻变特性的测试方法。申请日期：2013年01月21日，申请号：201310021385.5。
李颖，赵高扬，金龙。一种Cu掺杂氧化锆电储器薄膜的制备方法。申请日期：2014年03月27日，申请号：201410123046.2。
李颖，赵高扬，金龙。一种氧化锆薄膜电阻转变特性检测装置及其检测方法。申请日期：2015年07月09日，申请号：201510401733.0。
科研项目：
基于阻变存储器薄膜材料的微观结构研究。2012年西安理工大学青年基金。项目编号：101-211111。负责人,已完成。
阻变存储器薄膜材料的电阻转变机制动态界面研究。2011年陕西省教育厅自然科学研究基金。项目编号：101-00K1118。负责人,已完成。
阻变存储器薄膜材料的电阻转变机制研究。2011年西安理工大学优秀博士基金。项目编号：101-211106。负责人,已完成。
李颖
陕西省
研究领域：
研究方向：
功能薄膜器件
薄膜的表面界面研究
所在单位：
西安理工大学
