1、功率半导体器件及其可靠性
2、微纳电子器件辐射效应与加固技术
3、微传感器及接口电路

Single-event Burnout (seb);Breakdown Voltage;Breakdown Voltage (bv);Diffusion Barrier;Specific On-resistance;4h-sic;Nanostructures;Silicon Carbide;Silicon Carbide (sic);Electric Field

1. 一种基于自注入锁频的奇异点增强布里渊微光学陀螺
哈尔滨工程大学
张勇刚; 杨柳; 王颖; 刘展; 郜中星; 耿靖童; 李宁; 李羚宇; 聂纯
公开日期: 2025-05-23 申请日期: 2022-09-27 公开号: CN115451934B

2. 一种沟槽肖特基型碳化硅中子探测器结构及其制备方法
大连海事大学
王颖; 蒋婉晨; 宋延兴; 曹菲
公开日期: 2024-07-30 申请日期: 2024-04-12 公开号: CN118412397A

3. 一种碳化硅微结构中子探测器的读出电路
杭州电子科技大学
王颖; 朱华南; 郭浩民; 郑梁
公开日期: 2024-03-08 申请日期: 2023-10-18 公开号: CN117665898A

4. 一种抗辐射加固的氮化镓HEMT器件
杭州电子科技大学
王颖; 刘士进; 于成浩; 郑梁
公开日期: 2023-12-01 申请日期: 2023-10-18 公开号: CN117153864A

5. 一种碳化硅中子探测器转换材料填充方法
大连海事大学
王颖; 张立龙; 郭浩民; 包梦恬; 曹菲
公开日期: 2023-08-25 申请日期: 2023-06-02 公开号: CN116643306A

6. 一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构及制造方法
大连海事大学
包梦恬; 曹菲; 王颖; 徐洋喜
公开日期: 2023-08-22 申请日期: 2022-02-14 公开号: CN116632054A

7. 一种抗辐射功率半导体器件
大连海事大学
王颖; 包梦恬; 曹菲
公开日期: 2023-08-01 申请日期: 2023-03-08 公开号: CN219457618U

8. 一种基于单腔PT对称结构的高灵敏度光学陀螺仪及其设计方法
哈尔滨工程大学
杨柳; 李羚宇; 张勇刚; 王颖; 耿靖童; 聂纯; 刘强
公开日期: 2023-06-13 申请日期: 2023-02-23 公开号: CN116255970A

9. 一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法
大连海事大学
王颖; 陈嘉豪; 曹菲; 李兴冀; 杨剑群
公开日期: 2023-04-04 申请日期: 2022-10-28 公开号: CN115911137A

10. 一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法
大连海事大学
王颖; 罗佳豪; 包梦恬; 李兴冀; 杨剑群
公开日期: 2023-01-03 申请日期: 2022-10-28 公开号: CN115566073A

11. 一种高热稳定性碳化硅肖特基二极管及其制备方法
大连海事大学
王颖; 陈珂涵; 曹菲; 李兴冀; 杨剑群
公开日期: 2023-01-03 申请日期: 2022-10-28 公开号: CN115566077A

12. 一种双沟槽型碳化硅中子探测器
大连海事大学
王颖; 张立龙; 包梦恬; 曹菲
公开日期: 2022-11-11 申请日期: 2022-08-18 公开号: CN115332377A

13. 一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法
大连海事大学
王颖; 周建成; 曹菲; 包梦恬
公开日期: 2022-11-04 申请日期: 2022-09-06 公开号: CN115295628A

14. 平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法
杭州电子科技大学
王颖; 罗佳豪; 曹菲; 李兴冀; 杨剑群
公开日期: 2022-09-27 申请日期: 2022-07-06 公开号: CN115117053A

15. 具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法
杭州电子科技大学
郭浩民; 曹菲; 陈嘉豪; 王颖; 张立龙
公开日期: 2022-09-20 申请日期: 2022-06-23 公开号: CN115084281A

16. 一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构
杭州电子科技大学
于成浩; 王颖; 郭浩民; 包梦恬; 张立龙
公开日期: 2022-07-22 申请日期: 2022-04-18 公开号: CN114784133A

17. 一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
杭州电子科技大学
于成浩; 王颖; 郭浩民; 包梦恬; 张立龙
公开日期: 2022-07-22 申请日期: 2022-04-18 公开号: CN114784132A

18. 一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法
杭州电子科技大学
王颖; 沈培; 包梦恬; 曹菲
公开日期: 2022-07-12 申请日期: 2022-04-06 公开号: CN114744021A

19. 一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构
杭州电子科技大学
于成浩; 王颖; 郭浩民; 包梦恬; 张立龙
公开日期: 2022-06-10 申请日期: 2022-03-14 公开号: CN114613843A

20. 一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构
杭州电子科技大学
王颖; 张孝冬; 于成浩; 曹菲
公开日期: 2022-04-19 申请日期: 2021-12-21 公开号: CN114373799A

1. 铜互连体系ZrxSiy超薄扩散阻挡层的性能与机理研究
立项时间: 2010-2012 项目经费：210000

2. 铜互连自形成阻挡层新方法与相关理论研究
立项时间: 2014-2017 项目经费：800000

3. 基于毫米波雷达传感器交通监控以及目标追踪
立项时间: 2022

技术咨询