兰林锋 研究员 博士 广东省 研究领域: 研究方向: 半导体材料与器件、柔性电子、印刷电子、新型显示 所在单位: 华南理工大学

基本信息

所在单位:
华南理工大学
机构细分:
材料科学与工程学院
单位类型:
高等院校
职务:
研究员
职称:
研究员
最高学历:
博士
教育经历:
2005年7月  获华南理工大学物理科学与技术学院理学学士学位,之后保送至材料科学与技术学院读研
2010年7月  获得材料物理与化学专业博士学位。
工作经历:
2010-今,华南理工大学(发光材料与器件国家重点实验室);
2012年8月  破格晋升为副研究员;
2015年9月  破格晋升为研究员;
2018年9月  晋升为博士生导师;
2022-今,光电材料与器件系主任。
专家介绍:
兰林锋主要研究薄膜晶体管(TFT)的核心半导体材料、介电材料及其器件的构建,在柔性TFT、印刷TFT以及TFT在新型显示中的应用探索等方面取得了实质性成果。

相关成果获广东省科技奖一等奖1项、中国光学科技奖三等奖1项。

发表相关SCI论文101篇(其中以第一/通讯作者发表46篇),SCI他引1282次。受邀为Nanotechnology期刊撰写综述文章《Solution-Processed Metal-Oxide Thin-Film Transistors: A Review of Recent Developments》。编写《印刷显示材料与技术》(科学出版社),获得国家出版基金的资助。参与改编夏建白院士的经典著作《半导体科学与技术》(科学出版社)。

申请发明专利60件,已授权24件(包括2件美国专利)。

在International Thin-Film Transistor Conference(ITC)、International Display Workshop (IDW)、International Conference on Display Technology(ICDT)、IEEE International Conference on CAD TFTs(IEEE CAD-TFT)等本领域重要国际会议上作邀请报告10多次。担任ICDT(2017、2018)和IEEE CAD-TFT(2016、2018)会议的分会主席。担任美国化学会期刊(ACS Appl. Mater. Interfaces)的客座编辑(2017年)。担任“国际信息显示协会”(SID)北京分会技术委员会委员。

承担国家自然科学基金、国家863计划子任务、国家重点研发计划(合作单位负责人)、广东省科技计划、广东省自然科学基金等科研项目16项,项目总合同经费1000多万元。

入选“青年珠江学者”,获得广东省杰出青年基金、广州市“珠江科技新星”人才计划项目资助,是教育部首批全国高校“黄大年式”教师团队(有机高分子光电材料与器件教师团队)的成员。

科研能力

研究方向:
半导体材料与器件、柔性电子、印刷电子、新型显示
英文标签:
Thin-film Transistors;Thin Film Transistors;Stability;Oxide Semiconductors;Solution-processed;Inkjet Printing;Hybrid;Oxide Semiconductor;White Light;Thin-film Transistor
发明专利:
1. 双有源层氧化铟镓锡薄膜晶体管及其制备方法
华南理工大学
兰林锋; 曾德淳; 彭俊彪
公开日期: 2025-05-13 申请日期: 2025-02-07 公开号: CN119997571A

2. 一种防眩减反产品及其制备工艺
华南理工大学
周泓崑; 兰林锋
公开日期: 2024-09-06 申请日期: 2024-03-21 公开号: CN118604928A

3. Stretchable strain sensor based on vertical graphene and its application
South China University of Technology
Linfeng Lan; Caihao Deng; Junbiao Peng
公开日期: 2024-07-02 申请日期: 2019-09-23 公开号: US12025437B2

4. 一种可拉伸可印刷氧化物晶体管
华南理工大学
兰林锋; 杨帅; 黄博; 彭俊彪
公开日期: 2024-02-27 申请日期: 2023-12-21 公开号: CN117613099A

5. Control device
NIDEC CORPORATION
Tomonari Mori; Linfeng Lan; Ryo Itaba; Yasuki Kobayashi
公开日期: 2024-01-02 申请日期: 2020-01-17 公开号: US11863092B2

6. Motor control device and motor control method
Nidec Corporation
Tomohiro Fukumura; Linfeng Lan
公开日期: 2024-01-02 申请日期: 2020-08-20 公开号: US11863093B2

7. METAL OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL, TARGET MATERIAL AND FABRICATION METHOD THEREFOR, THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREFOR
BOE TECHNOLOGY GROUP CO. LTD.; South China University of Technology
Guangcai YUAN; Linfeng LAN; Fengjuan LIU; Ce NING; Hehe HU; Fei WANG; Junbiao PENG
公开日期: 2023-08-24 申请日期: 2021-11-02 公开号: US20230268444A1

8. Power control device for use in motor unit for electric vehicle, has control section for controlling switching frequency of set of switches included in converter circuit, where control section determines frequency fluctuation width based on speed and torque of motor.
ニデックエレシス株式会社; ニデック株式会社
蘭 林峰; 小笠原 大介; 椿 幸之助; 深谷 和希; 春山 佑輔; 仁田 哲広
公开日期: 2023-07-07 申请日期: 2021-12-27 公开号: JP2023096277A

9. 一种异质结薄膜晶体管及日盲紫外光电探测器
华南理工大学
兰林锋; 李亚平
公开日期: 2023-06-06 申请日期: 2023-01-04 公开号: CN116230803A

10. Command generation device and command generation method
NIDEC CORPORATION
Linfeng Lan; Tomohiro Fukumura; Koichi Takae
公开日期: 2023-05-16 申请日期: 2019-01-10 公开号: US11652435B2

11. METAL OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL, TARGET MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR, THIN FILM TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
BOE Technology Group Co. Ltd.; South China University of Technology
LAN Linfeng; NING Ce; WANG Fei; YUAN Guangcai; LIU Fengjuan; HU Hehe; PENG Junbiao
公开日期: 2023-04-19 申请日期: 2021-11-02 公开号: EP4167291A1

12. MOTOR CONTROL DEVICE AND MOTOR CONTROL METHOD
Nidec Corporation
Tomohiro FUKUMURA; Linfeng LAN
公开日期: 2022-10-13 申请日期: 2020-08-20 公开号: US20220329190A1

13. MOTOR CONTROL DEVICE AND MOTOR CONTROL METHOD
Nidec Corporation
Tomohiro FUKUMURA; Linfeng LAN
公开日期: 2022-09-15 申请日期: 2020-07-22 公开号: US20220294378A1

14. DAMPING CONTROL DEVICE AND DAMPING CONTROL METHOD
Nidec Corporation
Tomohiro FUKUMURA; Linfeng LAN; Tomonari MORI
公开日期: 2022-08-25 申请日期: 2020-07-21 公开号: US20220266700A1

15. Plant control device that corrects for modeling error and periodic disturbances
Nidec Corporation; The University of Tokyo
Hiroshi Fujimoto; Linfeng Lan; Tomonari Mori; Masanori Watahiki
公开日期: 2022-06-21 申请日期: 2018-04-04 公开号: US11366435B2

16. 金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法
京东方科技集团股份有限公司; 华南理工大学
袁广才; 兰林锋; 刘凤娟; 宁策; 胡合合; 王飞; 彭俊彪
公开日期: 2022-06-21 申请日期: 2020-12-18 公开号: CN114649408A

17. CONTROL DEVICE
NIDEC CORPORATION
Ryo ITABA; Tomonari MORI; Linfeng LAN; Yasuki KOBAYASHI
公开日期: 2022-05-19 申请日期: 2020-01-17 公开号: US20220158578A1

18. 氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
华南理工大学
兰林锋; 李潇; 彭俊彪
公开日期: 2022-05-13 申请日期: 2022-01-27 公开号: CN114481054A

19. 氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
华南理工大学
兰林锋; 李潇; 彭俊彪
公开日期: 2022-05-13 申请日期: 2022-01-27 公开号: CN114481054A
科研项目:
1. 金属氧化物薄膜晶体管稳定性机理的研究
立项时间: 2013-2015 项目经费:240000

2. 用于柔性显示的薄膜晶体管半导体材料的开发及印刷成膜
立项时间: 2017-2020 项目经费:610000

3. 基于氧化物半导体层光电响应一体化的突触晶体管研究
立项时间: 2023

项目合作

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