· 半导体薄膜与纳米材料
· 氧化物半导体光电探测、传感与神经形态器件

20. 吕斌、吴慧珊、张涛、潘新花、叶志镇, 一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法, 专利号：202111231827.X, 授权日：2024年9月20日。
19. 吕斌、吴慧珊、张涛、潘新花、叶志镇, 一种基于硫化亚锡/氧化镓异质 PN 结紫外探测器及制备方法, 专利号：202111232033.5, 授权日：2024年4月29日。
18. 宋璐涛、吕建国、吕斌、和庆钢、侯阳、张庆华、高翔，一种用于水系锌-空气电池的Co-FPOH微球材料及其制备方法，专利号：202110284212.7， 授权日：2023年1月31日。
17. 吕斌、周子文、曾升、叶志镇, 一种少层GeTe纳米片@TiO2纳米棒复合光阳极及制备方法, 专利号：201910259410.0, 授权日：2020年8月11日。
16. 吕斌、徐易扬、叶志镇，一种基于二维二硫化钼-二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用，专利号：201710985169.0，授权日：2020年6月30日。
15. 吕斌、周子文、曾升、叶志镇， 一种CdS纳米棒@ReS2纳米片复合光催化剂，专利号：201910259431.2，授权日：2020年6月23日。
14. 吕斌、周子文、曾升、叶志镇， 一种少层ReS2纳米片@MoS2量子点复合光催化剂及其制备方法，专利号：201910259409.8，授权日：2020年6月23日。
13. 吕斌、李辰旸、叶志镇, 一种碘氧化铋/氮掺石墨烯复合光催化剂及其制备方法，专利号：201610054452.7，授权日：2018年7月23日。
12. 吕斌、沙楚涵、叶志镇, 用作超级电容器电极材料的镁钴氧化物/石墨烯复合材料及其制备方法，专利号：201610158692.1，授权日：2018年5月22日。
11. 吕斌、沙楚涵、叶志镇，石墨烯气凝胶三元复合超级电容器电极材料及制备与应用，专利号：201510066222.8，授权日：2018年1月30日。
10. 潘新花、周宇嵩、吕斌、叶志镇，一种Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法，专利号：201610072627.7，授权日：2018年1月26日。
9. 叶志镇、陈姗姗、潘新花、黄靖云、吕斌，一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法，专利号：201410661515.6，授权日：2017年11月24日。
8. 吕斌，吕建国，张金云，叶欢，陈国安，李文杰，朱恒伟，一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，专利号：201410565038.3，授权日：2017年7月7日。
7. 叶志镇、陈姗姗、潘新花、黄靖云、何海平、吕斌，一种制备高发光性能p型ZnO薄膜的方法，专利号：201410618510.5，授权日：2017年6月23日。
6. 吕建国, 吕斌, 张金云, 叶欢, 陈国安, 朱恒伟, 李文杰，一种用于容器内壁镀膜的CVD反应室装置，专利号：201410565351.7，授权日：2017年4月12日。
5. 吕斌、周婷婷、潘新花、叶志镇，p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法，专利号：201310139795.X，授权日：2016年5月18日。
4. 吕斌、汪银洲、叶志镇，一种钒酸铋-石墨烯复合光催化剂的制备方法，专利号：201410018818.4，授权日：2015年9月9日。
3. 张宏海、吕斌、 潘新花、叶志镇、吕建国、黄靖云，一种非极性p-NiO/n-ZnO异质结构及其制备方法，专利号：201310038167.2，授权日：2015年7月15日。
2. 潘新花、黄靖云、叶志镇、丁萍、吕斌，一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法，专利号：201110101585.2，授权日：2013年4月24日。
1. 丁萍、潘新花、黄靖云、叶志镇、吕斌，ZnO基发光器件的制备方法，专利号：201110101601.8，授权日：2012年11月07日。

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