1、相变信息存储材料、机理与器件
2、透射电镜原位外场作用下纳米材料行为
3、硫系非晶态半导体材料阈值转变机制
4、二维、异质结、超晶格薄膜材料与器件

(1) 饶峰，任堃，宋志棠，任万春，用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法，2012.12.5-2032.9.13，ZL201210339752.1，美国专利号US14/129955。
(2) 饶峰，任堃，宋志棠，低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，2012.8.15-2032.5.16，ZL201210152787.4。
(3) 饶峰，夏梦姣，宋志棠，陈邦明，微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法，2012.6.20-2031.12.29，ZL201110453265.3。
(4) 饶峰，宋志棠，吴良才，任堃，周夕淋，用于相变存储器的Si-Sb-Te材料，2011.7.20-2031.1.19，ZL201110021605.5。
(5) 饶峰，宋志棠，夏梦姣，一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，2012.2.1-2031.6.15，ZL201110160543.6。
(6) 饶峰，任堃，宋志棠，低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，2012.9.12-2032.5.16，ZL201210154750.5。
(7) 饶峰，任堃，宋志棠，吴良才，用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，2012.7.4-2030.12.31，ZL201010619500.5。

主持项目：
1、国家自然科学基金重点项目，《新型二维相变异质结材料与工作内存级信息存储器件》，2021.1-2025.12。
2、广东省基础与应用基础研究基金（区域联合基金）重点项目，《高性能相变存储器阈值转变选通材料与器件》，2020.10-2023.9。
3、深圳市基础研究（学科布局）项目，《新型高速相变缓存芯片关键技术研究》，2019.3-2022.3。
4、广东省普通高校省级重大科研项目，《高速缓存型相变存储材料与器件研究》，2018.1-2020.12。
5、深圳市基础研究（自由探索）项目，《新型高速、低功耗超晶格相变存储器》，2017.7-2019.6。
6、国家自然科学基金优秀青年基金项目，《面向内存应用的钪锑碲基高速、低功耗相变存储器研究》，2017.1-2019.12。
7、中国科学院战略性先导科技专项子课题，《高密度相变存储器技术》，2013.6-2017.6。
8、上海市启明星项目，《Al-Sb-Te材料高速、高保持力相变机理研究》，2012.9-2014.8。
9、国家自然科学基金青年基金项目，《新型相变材料的设计与优选》， 2010.1-2012.12。
10、中国科学院优秀博士学位论文、院长奖获得者科研启动专项资金，《掺杂Sb-Te基新型相变材料的研究》，2010.4-2011.12。
参与项目：
1、国家重大科学研究计划973，《基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究》，2007.7-2011.8。
2、国家重点基础研究发展计划973，《相变存储器规模制造技术关键基础问题研究》，2010.1-2014.8。
3、国家集成电路重大02专项，《45nm相变存储器工程化关键技术与应用》，2009.1-2012.12。
4、国家重大科学研究计划973A类，《半导体相变存储器》，2013.4-2015.8。

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