新能源

1) 用于新能源高新技术领域的高迁移率氮化镓功率器件；
2) 新型二维材料的制备及其器件研究；

X. Liu, H.-C. Chin, L. S. Tan, and Y.-C. Yeo*, “High-permittivity dielectric stack on gallium nitride formed by silane surface passivation and metal-organic chemical vapor deposition,” IEEE Electron Device Letters, vol. 31, no. 1, pp. 8-10, 2010. (JCR Q2 IF:4.9)

X. Liu, H.-C. Chin, L. S. Tan, and Y.-C. Yeo*, “In situ surface passivation of gallium nitride for metal-organic chemical vapor deposition of high-permittivity gate dielectric,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 1, pp. 95 - 102, 2011. (JCR Q2 IF:3.1 )

X. Liu, B. Liu, E. K. F. Low, W. Liu, M. Yang, L.-S. Tan, K. L. Teo, and Y.-C. Yeo*, “Local stress induced by diamond-like carbon liner in AlGaN/GaN MOS-HEMTs and impact on electrical characteristics,” Applied Physics Letters, vol. 98, 183502, 2011. (JCR Q2 IF:4 )

X. Liu, E. K. F. Low, J.-S. Pan, W. Liu, K. L. Teo, L. S. Tan, and Y.-C. Yeo*, “Impact of in situ vacuum anneal and SiH4 treatment on electrical characteristics of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors,” Applied Physics Letters, vol. 99, 093504, 2011. (JCR Q2 IF:4 )

X. Liu, C. Zhan, K. W. Chan, W. Liu, L. S. Tan, K. J. Chen, and Y.-C. Yeo*, “AlGaN/GaN-on-silicon MOS-HEMTs with breakdown voltage of 800 V and on-state resistance of 3 mΩ.cm2 using a CMOS-compatible gold-free process,” Applied Physics Express, vol. 5, 066501, May, 2012. (also reported in Semiconductor TODAY on 7th June, 2012) （Top 20 most downloaded APEX paper in May, 2012）(JCR Q3 IF:2.6 )

X. Liu, C. Zhan, K. W. Chan, M. H. S. Owen, W. Liu, D. Z. Chi, L. S. Tan, K. J. Chen, and Y.-C. Yeo*, “AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with a High Breakdown Voltage of 1400 V and on-state resistance of 22 mΩ•cm2 using a CMOS Compatible Gold-Free Process,” Japanese Journal of Applied Physics. vol. 52, no. 4, 04CF06, 2013. (JCR Q4 IF:1.5)

X. Liu, M. A. Bhuiyan, P. S/O Somasuntharam, C. B. Soh, Z. Liu, D. Z. Chi,W. Liu, W. Yu*, Y. Lu*, L. S. Tan,Y.-C. Yeo, “High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process,” Applied Physics Express, vol. 7, 126501, 2014. (JCR Q3 IF:2.6 )

X. Liu*, Z. Liu, P. S/O Somasuntharam, J. Pan, W. Liu, F. Jia, Y. Lu, C. Liu,W. Yu, J. He, and L. S. Tan, “Band alignment of HfAlO/GaN (0001) determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of in situ SiH4 Passivation,” Journal of Alloys and Compounds, vol. 636, pp.191-195, 2015. (JCR Q1 IF:6.2)

C. Liu, J. Wen, W. Yu*, B. Zhang, Z. Xue, Y. Chang, L, Zhu, X. Liu*, Y. Zhao, M. Zhang, X. Wang, Q.-T. Zhao, “High Performance Strained Si0.5Ge0.5 Quantum-Well p-MOSFETs Fabricated Using a High-k/Metal-gate last Process,” Superlattices and Microstructures, vol. 83, pp. 2010-215, 2015. (JCR Q2 IF:3.1)

2025-2027深圳市深港合作项目，面向大功率应用的1200V高可靠性氮化镓垂直MOSFETs, 主持人;
2025-2027 科技部重点研发计划，8 英寸硅衬底上氮化镓基异质集成关键技术和器件合作研究, 主持人;
2023-2026 深圳市基础研究重点项目,高性能氮化镓电子器件制造技术关键问题研究, Co-PI;
2023-2028 广东省科技创新战略专项(基石类基础研究重大项目),基于离子束剥离技术的大尺寸金 刚石基氮化镓异质集成电子器件研究, Co-PI;
2022-2025 广东省自然科学杰出青年项目,基于氮化镓单晶衬底的电力电子器件,主持人;
2020-2023 广东省重点领域研发计划项目,高质量氮化镓单晶材料的制备及关键技术研究, Co-PI;
2020-2023 广东省重点领域研发计划项目,纵向导通结构GaN功率电子器件关键技术的研究, PI;
2020-2022 深圳市技术攻关项目，垂直氮化镓功率电子分立器件的研发及产业化关键技术研发，PI;
2019-2021中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室开放可以，PI;
2019-2021 广东省重点领域研发计划项目, 基于自主安全SoC 的高端智能彩色激光打印复印机的研制与应用, Co-PI;
2019-2020 深圳市国家配套， 项目名称“高频高效率超小型 GaN 基功率开关电源模块 ”，主持人;
2017-2020 科技部重点研发计划“战略性先进电子材料”, 项目名称 "GaN基新型电力电子器件关键技术"，课题负责人;
2017-2020 科技部重点研发计划“战略性先进电子材料”, 项目名称“”第三代半导体的衬底制备及同质外延” ，任务负责人;
2017-2019 深圳市基础布局项目， 项目名称“新型自支撑氮化镓材料在电力电子器件的应用基础研究”，主持人;
2016-2018 国家青年科学基金项目， 项目名称“基于p-Cu2O帽层的增强型硅基AlGaN/GaN异质结场效晶体管的制备及可靠 性研究”,主持人;
2016-2017 广东省省级科技计划项目, 项目名称"高效节能600V硅基氮化镓HEMTs电力电子器件"，主持人;
2015-2017 教育部留学回国人员科研启动经费；
2015-2017 深圳市孔雀计划启动经费, 项目名称"宽禁带新型半导体器件研究"， 主持人;
2015-2017 深圳大学校启动经费；
2015-2016 深圳大学材料学院市重点实验室开放基金;