发明专利:
[23] 耿宏章;景立超, 一种具有褶皱结构的功能化石墨烯增强的防腐涂层及其制备工艺, 2018.10.17, 中国,发明专利申请号:2018 1 1186840.6
[22] 耿宏章;谷泽增; 田颖; 景立超;郭志迎;袁雪爽, 一种“三明治”结构的碳纳米管/聚3,4-乙烯二氧噻吩透明导电薄膜及制备方法,2018.09.18, 中国,发明专利申请号:2018 1 1084212.7
[21] 耿宏章;袁雪爽;郭志迎;耿文铭; 景立超; 谷泽增, 一种碳纳米管/聚苯胺/聚砜导电超滤膜的制备及膜污染在线监测技术,2018.06.01, 中国,发明专利申请号:2018 1 0553425.3
[20] 耿宏章; 郭志迎; 袁雪爽;景立超; 谷泽增; 袁晓彤, 一种聚吡咯-碳纳米管聚醚砜复合导电膜及其制备方法, 2018.05.09, 中国,发明专利申请号:2018 1 0446831.X
[19] 耿宏章; 郭志迎; 袁雪爽; 许春霞; 石培培; 贾松霖,碳纳米材料/聚合物导电杂化膜的制备及膜污染监测技术, 2017.11.28,中国,发明专利申请号:201711220733.6
[18] 耿宏章; 石培培; 许春霞; 贾松霖; 田颖; 景立超; 谷泽增; 袁雪爽; 郭志迎,一种功能化氧化石墨烯防腐涂层及其制备工艺, 2017.09.29,中国,发明专利申请号:201710932359.6
[17] 耿宏章; 贾松霖; 田颖; 许春霞; 石培培; 谷泽增; 袁雪爽; 郭志迎; 景立超,一种薄膜加热器及其制备方法, 2017.07.06,中国,发明专利申请号:201710554359.7
[16] 耿宏章、王洁、达世勋、贾松霖、许春霞、石培培, 真空蒸镀法制备还原氧化石墨烯薄膜, 2016.09.20,中国,发明专利申请号:201610835913.4
[15] 耿宏章, 达仕勋、王洁, 一种氧化石墨烯/还原氧化石墨烯掺杂碳纳米管柔性透明导电电极及其制备方法, 2016.07.05,中国,发明专利申请号:201610532106.5
[14] 耿宏章, 杨海杰、罗志佳、贾松林、吴艳琪、王婧、王洁、达仕勋,一种强附着力、高透光度、低面电阻的碳纳米管抗静电薄膜及其制备工艺, 2015.12.03,中国,发明专利授权号:ZL 201510859713.8
[13] 耿宏章, 王婧、罗志佳、张星、卢占国、张金秋、丁二雄、杨海杰、王洁、李麟阁,一种强疏水性的改性氧化石墨烯材料的制备方法, 2015.04.03,中国,发明专利申请号:201510155001.8
[12] 耿宏章, 罗志佳、王婧、张松亭、杜宝坛、马素俊、喻萍、王炎、达仕勋,一种高效的氧化石墨烯纳米片的制备工艺, 2015.03.27,中国,发明专利授权号:ZL 2015 1 0143599.9
[11] 耿宏章, 丁二雄, 李麟阁, 王炎, 罗志佳, 杨海杰, 王婧, 一种新颖碳纳米花及其制备方法, 2014.11.4,中国,发明专利申请号:201410616029.2
[10] 耿宏章, 张泽晨, 王炎, 丁二雄, 王婧, 罗志佳, 杨海杰, 一种强附着力的碳纳米管柔性透明导电薄膜及其制备方法, 2014.10.31,中国,发明专利授权号:ZL 2014 1 0596637.1
[9] 耿宏章, 丁二雄, 王炎, 罗志佳, 王婧, 杨海杰, 王文一, 一种制备形貌可控的螺旋碳纳米管的方法, 2014.9.22,中国,发明专利申请号:201410482025.X
[8] 耿宏章,许小兵,张泽晨,孟岩,胡榕榕,用于锂离子电池的改性无机纳米颗粒/二氧化锡复合电极材料的制备方法,2013.12.16,中国,发明专利申请号:201310680703.9.
[7] 耿宏章,孟岩, 许小兵, 张泽晨,一种快速制备大面积碳纳米管柔性透明导电薄膜及提高其导电性的方法,2013.9.23,中国,发明专利授权号:ZL 2013 10430346.0.
[6] 耿宏章,李虎, 孟岩, 张泽晨,强附着力的碳纳米管柔性透明导电薄膜的制备方法及其附着力检测方法,2013.9.22,中国,发明专利授权号:ZL 2013 10430911.3.
[5]耿宏章,高静,一种基于柔性碳纳米管薄膜的有机发光器件,2012.9.10,中国,发明专利授权号:ZL 201210331491.9.
[4] 耿宏章,崔立军,摩擦磨损性能得到提高的改性无机纳米颗粒/环氧树脂复合材料及其制备方法,2012.9.10,中国,发明专利授权号:ZL 201210330970.9.
[3]王文一,徐李昊,王斌,耿宏章,刘俊成,单壁碳纳米管涂覆改性聚偏氟乙烯膜及其制备方法,2012.9,中国,发明专利授权号:ZL 201210329689.3
[2] 耿宏章,崔立军,一种具有强耐磨损性能的环氧树脂复合板,2012.7.6,中国,实用新型专利:ZL 201220323926.0.已授权2013.05.01
[1] YoungKyu Chang, Seung Yong Bae, Young Sil Lee, Young Hee Lee, Hong-Zhang Geng. Conductivity enhanced transparent conductive film and fabrication method thereof, 2007.11,韩国,已授权发明专利2007-0116273.