发明专利:
1.刘本强,陈翔,郝坤.晶圆级堆叠多芯片的封装方法, 2023-03-28,中国, ZL202211616473.5.
2.张胜利,周戬,程子超,宋秀峰,陈翔.结型场效应晶体管及其制备方法, 2020-11-18,中国, ZL202011185135.1.
3.陈翔,熊云海,曾海波,宋秀峰,许多.一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法, 2020-10-14,中国, ZL202011095266.0.
4.陈翔,周戬,宋秀峰,解磊,张胜利,曾海波.一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法, 2020-10-14,中国, ZL202011094874.X.
5.Jonghyun Ahn, Tanmoy Das, Sachin Maruti Shinde, Bhupendra Kumar Sharma, Xiang Chen, Ahn Tuan Hoang, Large area transfer method of transition metal dichalcogenides, 2019-9-17, KR102024463B1.
6.Jonghyun Ahn, Xiang Chen, Yongju Park, Minpyo Kang, Transient sensor using molybdenum disulfide and method of manufacturing the same, 2023-10-10, US11781217B2.
7.Minseok Kim, Yonkyu Park, Minhoon Park, Jonghyun Ahn, Yongju Park, Xiang Chen, Manufacturing method of a tactile sensor using MoS2, 2017-10-19, KR101787235B1.
8.张跃, 陈翔, 闫小琴, 李欣, 冯亚瀛, 申衍伟, 郑鑫. 一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法, 2014-2-12, 中国, ZL201210300106.4.
9.张跃, 陈翔, 闫小琴, 李欣, 冯亚瀛, 申衍伟, 郑鑫. 一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法, 2014-10-15, 中国, ZL201210452268.X.
10.张跃, 陈翔, 闫小琴, 李欣, 冯亚瀛, 郑鑫, 申衍伟. 一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法, 2013-11-20, 中国, ZL201210252567.9.