1. 铁电、压电、磁电氧化物多功能材料与器件；
2. 半导体光能源材料与器件；
3. 柔性电子材料与器件

1.张伟飞，袁国亮，穆罕默德·阿德南·凯瑟，一种复合高温压电陶瓷材料，申请号： 201710357002
2.高焕，苏留帅， 袁国亮，一种透明柔性氧化物铁电存储器，申请号：201710333577
3.谢忠帅，杨玉玺，马赫，袁国亮，一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，申请号：201611120850
4.郑鹏，艾哈迈德 侯赛因，张伟飞，徐玉青，袁国亮，复合高温压电陶瓷材料及其制备方法，申请号：201610904233
5.徐玉青，袁国亮，杨玉玺 ，马赫 ，刘治国，一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，专利号：201510753796.2
6.袁国亮，王海洋，骆溁，马赫, 一种自清洁喷涂液制造及使用方法，专利号 No.201210514852.3
7. 袁国亮，马赫，常磊，高文秀，一种铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法，专利号 No.201310671979.0
8. 袁国亮，刘俊明，王一平，刘治国, 一种磁电耦合陶瓷材料及其制备方法，专利号 No.200410064900.9
9. 袁国亮，徐锋，杜宇雷，陈光，在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法，专利号 No.201010557401.9
10.陈孝敏, 刘璐，袁国亮，一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方法，专利号 No.201010559251.5
11.王海洋，孙晨，袁国亮，低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，专利号 No.201010559109.0
12.袁国亮，徐锋，杨晓智，王海洋，刘明，使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法，专利号 No.201110031966.8
13.邵思龙，陈江鹏，袁国亮，何伟基，陈饯，高透射率的钒基多层超晶格薄膜及其制备方法，专利号No.201210127760.X
14.骆溁，陈江鹏，马赫，袁国亮，刘治国，一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法，专利号：No.201310223929.6

1. 铁电半导体新材料与光能源原型器件，国家自然科学基金重大项目课题（51790492），直接经费314万，课题负责人，2018.01-2022.12。
2. PZT等柔性氧化物铁电薄膜及其全无机柔性电子器件的研究，国家自然科学基金面上项目（61874055），直接经费64万，项目负责人，2019.01-2022.12
3. 通过晶格严重畸变和电畴精细调控探索BiFeO3等材料的多铁和半导体性能，国家自然科学基金面上项目（51072081），直接经费83万，项目负责人，2015.01-2018.12。
4. 铁电极化调控铁电薄膜电子稳态输运过程的研究，国家自然科学基金重点课题(11134004)，直接经费300万，项目第二负责人（管理150万经费），2012.01-2016。

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