发明专利：
1. 邓勇辉, 任元, 邹义冬。授权专利，金属氧化物有序交叉纳米线阵列及其制备方法，专利号：CN201910391024.7。
2. 邓勇辉，周欣然，任元。授权专利，具有均匀孔道的氧化铝掺杂介孔氧化锌材料及其制备方法，专利号：CN201510576838.X。
3. 邓勇辉，任元，李宇慧，纪广慧。申请专利，酚醛树脂预聚物辅助合成的大孔径有序介孔金属氧化物材料及其制备方法，专利号：CN201510579016.7。
4. 任元，李振良，饶宇建，陶立。一种有序介孔二硫化钨半导体材料及其制备方法和应用，专利号：202311103315.4。
5. 任元饶宇建李振良陶立。一种有序介孔二硫化钼材料及其制备方法和应用，专利号：202311103310.1。
6. 任元吴国栋林惠文陶立。一种介孔钛酸锶材料及其制备方法与应用，专利号 202311308479.0。
科研项目：
1. 国家自然科学基金-面上项目，“新型介孔过渡金属硫族化合物材料合成以及柔性半导体气体传感器应用研究”，50万，2024-2027，主持。
2. 国家自然科学基金-青年基金, “新型介孔金属氧化物纳米材料合成以及半导体气体传感器应用研究”, 16万, 2021-2022, 主持。
3. 国家“博士后创新人才支持计划”, 63万, 2020-2022, 主持。
4. 中国博士后科学基金第67批面上资助, 8万, 2020-2022, 主持。
5. 上海市科委基础重大项目, “面向阵列化MEMS 传感器的高性能介孔半导体气敏材料创制”, 400万, 2020-2023, 参与。
6. 国家重点研发计划, “硅基气体敏感薄膜兼容制造及产业化平台关键技术研究”, 205万, 2020-2023, 参与。
7. 珠海复旦创新研究院-重点研发项目, “基于介孔气敏材料的呼气一氧化碳检测设备技术开发”, 150万, 2020-2023, 参与。
任元
江苏省
研究领域：
研究方向：
1. 基于两亲性高分子嵌段共聚物的有机-无机自组装
2. 有序介孔半导体材料和二维半导体纳米材料
3. 微纳半导体气体传感与光电传感器件
所在单位：
东南大学
