研究方向：
1、化合物半导体芯片工艺，包括微波功率器件和光电器件如MMIC, HEMT, LED/LD, micro-LED等。
2、硅基大规模集成电路工艺，主要集中在CMOS后道工艺，多层金属互连，low-k DD工艺，片上测试结构，亚微米/深亚微米光刻等。
3、晶圆级封装技术包括晶圆键合，3DIC, TSV, interposer，solder bumping，异质晶圆集成等。
4、第三代半导体材料表征、器件模型以及仿真
发明专利：
1、Semiconductor wafer bonding incorporating electrical and optical interconnects, US9306116B2
2、Methods for improving wafer planarity and bonded wafer assemblies made from the methods,US9978582B2
3、Semiconductor device and method for manufacturing the same，US20190267468A1
4、集成增强型与耗尽型场效应管的结构及其制造方法，CN109727918A
5、外延结构的减薄方法, CN109065449B
6、半导体器件及其制造方法, CN109727862A
7、半导体器件及其制造方法, CN108649071A
8、半导体器件制造方法, CN108493111A
9、基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法CN108878511A
10、金刚石基氮化镓器件制造方法CN108847392A
范谦
江苏省
研究领域：
研究方向：
1、化合物半导体芯片工艺，包括微波功率器件和光电器件如MMIC, HEMT, LED/LD, micro-LED等。
2、硅基大规模集成电路工艺，主要集中在CMOS后道工艺，多层金属互连，low-k DD工艺，片上测试结构，亚微米/深亚微米光刻等。
3、晶圆级封装技术包括晶圆键合，3DIC, TSV, interposer，solder bumping，异质晶圆集成等。
4、第三代半导体材料表征、器件模型以及仿真
所在单位：
东南大学
