2007年本科毕业于山东科技大学应用物理学专业；
2012年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业，师从江风益院士。

2015年校聘为副研究员；
2017年晋升副研究员职称；
2020年晋升研究员职称。

王光绪，山东昌乐人，博士，研究员，博士生导师，入选教育部国家级青年人才，科技部国家重点领域创新团队核心成员。现任南昌实验室副主任、南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副主任、南昌硅基半导体科技有限公司总裁。致力于具有高光效、高可靠性的硅基氮化镓LED芯片器件的技术创新与成果转化工作，有多项单元技术的突破，是硅基LED芯片的主要贡献人之一，主持完成了国家工信部工业强基项目、国家重点研发专项、国家自然科学基金青年/面上/重点(课题)、中央引导地方基金等项目。获2020年度江西省科学技术进步奖一等奖(排第一)。

2018年入选江西省首批“青年井冈学者”；
2020年入选江西省百千万人才工程；
2021年荣获江西省科学技术进步奖一等奖(排第一)，项目名称“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”；
2023年入选教育部国家级青年人才，荣获国际照明委员会CIE颁发的杰出贡献奖。