发明专利：
1）杨时聪, 魏奎先, 马文会, 太劲松, 韩士锋. 一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法[P].ZL202410147733.1
2）魏奎先,杨时聪,马文会,等.一种硅片切割废料高效提纯的方法[P].ZL202110244366.3.
3）马文会,杨时聪,魏奎先,等.一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法[P].ZL202110244826.2.
4）魏奎先,杨时聪,马文会,等.一种用于熔炼回收再生硅的硅片切割废料的球团化方法[P].ZL202010703832.5.
5）魏奎先,杨时聪,马文会,等.一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法[P].ZL202010705503.4.
科研项目：
1）晶体硅切割硅泥微波真空控氧脱氧高效脱杂制造高纯再生硅技术，国家重点研发计划子课题，主持，50.00万元，2024YFC3907603，2025年01月-2027年12月，在研.
2）第十届中国科学技术协会青年人才托举工程，中国科学技术协会人才项目，主持，30.00万元， 2024年12月-2027年12月，在研.
3）光伏废旧石英坩埚综合回收及利用，云南省“兴滇英才支持计划” 青年人才项目，主持，70.00万元，2024年01月-2028年12月，在研.
4）硅切割废料湿法提纯过程杂质高效去除及表面氧化控制研究，国家自然科学基金青年项目，主持，30.00万元，52204313， 2023年01月-2025年12月，结题.
5）硅片切割废料提纯用于单晶硅制备新工艺研究，云南省科技厅-昆明理工大学“双一流”创建联合专项重点项目，主持，100.00万元，202101BE070001-010，2021年12月-2024年11月，结题.
杨时聪
云南省
研究领域：
研究方向：
硅绿色冶炼与硅资源综合利用
所在单位：
昆明理工大学
