于富成 研究员 博士 甘肃省 研究领域: 新能源,环保 研究方向: 分子束外延法制备GaMnAs和GaMnN稀磁性半导体纳米薄膜材料及其掺杂改性等 所在单位: 兰州理工大学

基本信息

所在单位:
兰州理工大学
机构细分:
材料科学与工程学院
单位类型:
高等院校
职务:
研究员
职称:
研究员
最高学历:
博士
出生年份:
1972-01-01
专家介绍:
于富成,1972年10月生,韩国忠南国立大学工学硕士和博士,硕士生导师,兰州理工大学材料科学与工程学院功能材料系教师。2008年9月至2009年8月在韩国汉阳大学半导体工学院任全职研究员。2010年5月入职兰州理工大学。硕博期间研究方向为分子束外延法制备GaMnAs和GaMnN稀磁性半导体纳米薄膜材料及其掺杂改性等。2008年至今,主要研究方向有ZnO纳米薄膜材料的制备、掺杂改性和缺陷设计,ZnO和g-C3N4单体纳米结构材料的设计与合成,Zn基和g-C3N4基新能源复合材料的设计、合成以及在绿色环保领域应用的研究等。Nanoscale Advances等期刊审稿人,发表SCI收录论文50余篇、EI收录论文若干篇,曾主持甘肃省自然科学基金、留学回国人员择优资助基金、甘肃省博士后择优资助基金及吉林大学光电子实验室开放基金等课题。

科研能力

研究领域:
新能源,环保
研究方向:
分子束外延法制备GaMnAs和GaMnN稀磁性半导体纳米薄膜材料及其掺杂改性等
论文著作:
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