发明专利：
1. 彭强祥，兰杨波，杨琼，廖敏，周益春. 一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的试验方法，中国，专利号：ZL201811281848.0
2. 彭强祥，刘巧灵，廖敏，周益春. 一种基于氧化铪铁电栅结构及其制备工艺，中国，专利号：ZL201710417470.1
3. 彭强祥，刘巧灵，兰杨波，廖敏，杨琼，周益春. 一种基于离子注入掺杂的氧化铪铁电栅制备方法，中国，专利号：ZL201710306626.9
4. 彭强祥，朱学进，廖佳佳，周益春. 一种铁电薄膜微区形貌修饰和图形化的方法，中国，授权号：ZL201710210568.0
5. 彭强祥，王泽奇，曾斌建，廖敏，杨琼. 一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用，中国，授权号：ZL2021109609532
6. Min Liao; Binjian Zeng; Yichun Zhou; Jiajia Liao; Qiangxiang Peng; Yanwei Huan，Hafniumoxide-based ferroelectric field effect transistor and manufacturing methodthereof，发明专利, 授权, 2022-11-15, 美国, US11502083B2.
7. [27]廖佳佳，曾斌建，彭强祥，廖敏，周益春. 一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器及制备工艺，中国，专利号：ZL201810348937.6
8. [28]廖敏，肖文武，周益春，彭强祥，钟向丽，王金斌. 一种铁电薄膜晶体管及其制备方法，中国，专利号：ZL201710426279.3
9. [31]廖敏，郑帅至，彭强祥，尹路，周益春.一种PEALD低温制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜,中国，专利号：ZL201811002707.0
彭强祥
湖南省
研究领域：
研究方向：
铁电薄膜与铁电器件；
半导体工艺；
所在单位：
湘潭大学
