浙江晶盛机电近日在投资者关系活动中确认，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试产线于2025年9月26日在子公司烁科碳素正式投产。该产线实现了全环节设备自主研发与完全国产化，标志着技术自主化进程取得重要突破。
12英寸碳化硅技术的产业化进程正在加速。大尺寸化已成为降低生产成本的关键路径。相较于当前主流的8英寸产品，12英寸碳化硅衬底单片芯片产出量可提升约2.5倍，规模化生产后将显著降低单位成本。
行业数据显示，12英寸衬底量产后，单片成本预计下降约40%，车规级功率模块单价有望从150美元降至90美元水平。这一进展将对新能源汽车、太阳能光伏及5G通信等下游领域的成本优化产生重要影响。
产业界也在积极推动12英寸碳化硅技术发展。天科合达12英寸碳化硅衬底生产线良率已达65%，计划于2025年底实现量产。同时，英飞凌与天科蓝共同开发的12英寸沟槽栅碳化硅MOSFET技术预计将于2026年问世，预示着大尺寸碳化硅时代即将到来。
在我国推进碳化硅产业自主化的背景下，本土企业全球竞争力持续提升。预计中国碳化硅衬底全球市场份额将从2024年的35%提升至2025年的60%，设备国产化率将超过80%。
2024年全球碳化硅衬底市场格局显示，Wolfspeed以34%的市场份额保持领先，而中国厂商天科蓝与天科合达正快速追赶，各自占据17%的市场份额。
碳化硅应用场景也在不断拓展。新能源汽车仍然是碳化硅功率器件最大的应用市场，2024年占据全球73.1%的份额。同时，AI数据中心正在成为新的增长领域——随着设备功耗与散热需求的持续攀升，供电与冷却系统面临升级需求，碳化硅技术有望为高端AI芯片的散热挑战提供解决方案。
行业创新应用也在持续推进。英伟达计划在下一代Rubin架构中采用碳化硅材料替代传统硅中介层，以追求更高性能指标。这一技术路线的转变可能为产业发展开启新的机遇。
课程内容：
模块一：中试相关政策与行业调研情况分析模块二：化工中试平台建设要点分析
模块三：化工中试平台运营管理
模块四：中试基地安全管理与风险控制
模块五：“化工中试基地—中试项目—产业化”典型案例分享
模块六：示范性化工中试基地参观&交流
培训费及证书：
培训费：2800 元/人（含资料费、午餐费），食宿统一安排，费用自理。
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