高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法

基本信息

技术关键词:
聚偏氟乙烯层;低介电损耗;高介电常数
技术所有人:
哈*****学

技术情况

技术分类:
高校技术
技术来源:
院校
技术简介:
本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来,高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜,其组成包括:纯聚偏氟乙烯层(1)、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层(2),其特征是:所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。

专利情况

是否有专利:
是
专利技术:
发明专利
专利申请日期:
2015-10-28
专利申请号:
CN201510710127.7
公布号:
CN105235343B
申请人:
哈尔滨理工大学
发明人:
翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞
IPC(国际专利分类号):
B32B33/00;B32B27/18;B32B27/30

市场情况

是否有样品或样机:
否
市场竞争状况:
否

其他信息

是否可形成独立产品/服务于产品特定场景:
否
是否愿意参加创新创业大赛/人才项目活动:
否
是否有商业计划书:
否
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